La edición en español de MIT Technology Review premió a 10 innovadores argentinos y uruguayos menores de 35 años que con su esfuerzo se enfrentan a importantes problemas de manera transformadora. Uno de los premiados es Néstor Ghenzi (30), becario de la UNSAM, que trabaja en el Laboratorio de Propiedades Eléctricas y Magnéticas del Centro Atómico Constituyentes de la Comisión Nacional de Energía Atómica. Ghenzi desarrolló MeMOSat-01, un prototipo de memoria experimental resistiva (ReRAM, por Resistive RAM en inglés) que, además de soportar las hostiles condiciones del espacio, basa su técnica de almacenaje de información en la manipulación de la resistencia eléctrica. Este fue su trabajo de doctorado en la Universidad.

Esta manipulación de la resistencia eléctrica aprovechada por Ghenzi hasta ahora solo se había demostrado de forma teórica, pero el investigador logró llevarla a la práctica gracias al diseño de un material que permite alterarla cuando se la somete a un cierto voltaje.

Dos empresas relacionadas con la industria aeroespacial, INVAP y Satellogic, ya se interesaron por el desarrollo de Ghenzi. De hecho, la última está probando el comportamiento del dispositivo, ya estudiado por el investigador en el laboratorio, en un satélite lanzado el 13 de junio pasado. El análisis de las respuestas de los dispositivos de MeMOSat-01 permitirá conocer cómo se comporta la memoria en el espacio.

El investigador de la división de Materiales Avanzados del Instituto Potosino de Investigación Científica y Tecnológica (México) Vicente Rodríguez afirmó que “de funcionar las ReRam a estas condiciones espaciales, sería un boom para la industria de memorias. El desarrollo y validación de una tecnología emergente como son las microReRAM es loable, innovador y puede aportar bastante al desarrollo de la tecnología”.